Дефиниция на биполярен транзистор с изолиран затвор

Биполярен транзистор с изолиран порт (IGBT) е съставно напълно контролирано, управлявано от напрежение-силово полупроводниково устройство, което съчетава предимствата на MOSFET (метален-оксид-полупроводников-транзистор с полеви-ефект) и BJT (биполярен съединителен транзистор).

 

Основни точки на дефиниция
Състав на структурата: Съставен от високия входен импеданс и управляваните от напрежение-характеристики на MOSFET, съчетани с ниския спад на напрежението на проводимост и способност за висок ток на BJT.

Принцип на работа: Чрез прилагане на напрежение към гейта за контролиране на образуването на канал, той осигурява базов ток към PNP транзистора, постигайки включване или изключване-изключване.

Терминална структура: Има три терминала-Gate (G), Collector (C) и Emitter (E).

 

Основни предимства:
Висок входен импеданс (като MOSFET, ниска задвижваща мощност)
Спад на напрежението с ниска проводимост (като BJT, ниска загуба на проводимост)
Подходящ за приложения с високо напрежение, висок ток и средно-висока честота